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用于化學(xué)機(jī)械拋光的漿料、拋光方法及半導(dǎo)體器件的制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):5269927

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相互參考的有關(guān)申請(qǐng)本申請(qǐng)基于并要求根據(jù)2003年6月18日提交的2003-173263號(hào)在先日本專利申請(qǐng)所產(chǎn)生的優(yōu)先權(quán)。這里將該文的全部?jī)?nèi)容引入本文,作為參考。背景技術(shù)本發(fā)明涉及的是用于CMP(化學(xué)機(jī)械拋光,Chemical MechanicalPlanarization)的漿料、使用該漿料的拋光方法和半導(dǎo)體器件的制造方法。2、相關(guān)技術(shù)描述下一代高性能的大規(guī)模集成電路中半導(dǎo)體元件的集成度預(yù)計(jì)將必然進(jìn)一步提高。例如,用CMP制取大馬士革(damascene)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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