技術(shù)編號(hào)：5269794
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明揭示了一種具有融合金屬納米線的透明導(dǎo)電電極及其制造方法。所述融合納米線的接合點(diǎn)的結(jié)深度小于單個(gè)金屬納米線的直徑之和。專利說明[0001]本專利申請大體上涉及透明電極的結(jié)構(gòu)及其制造方法的，尤其涉及制備金屬納米線網(wǎng)絡(luò)中具有融合接合點(diǎn)的透明電極的。背景技術(shù)[0002]銦錫氧化物(ΙΤ0)作為一種傳統(tǒng)的透明電極的透明導(dǎo)電體已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在科研領(lǐng)域，但是它在大規(guī)模生產(chǎn)工藝中存在很多缺點(diǎn)。首先，為了制作電極，ITO是被真空沉積在基材上，但是該真空沉積工藝比較昂貴...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。