技術(shù)編號(hào)：5269247
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種峰值摻雜結(jié)合對(duì)稱線性摻雜結(jié)構(gòu)的碳納米場(chǎng)效應(yīng)管，構(gòu)建了適用于峰值摻雜結(jié)合對(duì)稱線性摻雜結(jié)構(gòu)的碳納米場(chǎng)效應(yīng)管的輸運(yùn)模型，利用該模型分析計(jì)算了HALO-Linear摻雜策略對(duì)碳納米場(chǎng)效應(yīng)管電學(xué)特性的影響。通過與采用其他摻雜策略CNTFET的電學(xué)特性對(duì)比分析，發(fā)現(xiàn)這種摻雜結(jié)構(gòu)的碳納米場(chǎng)效應(yīng)管具有更大的開關(guān)電流比、更低的泄漏電流、更小的亞閾值擺幅，更高的截止頻率和更小的延遲時(shí)間，即表明采用HALO-Linear摻雜策略的CNTFET具有更好的柵控能力，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。