技術(shù)編號：5268313
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于存儲器件，特別是波及一種利用碳納米管設(shè)計(jì)制備的單電子存儲器。為了繼續(xù)維持存儲器件的高速發(fā)展，人們希望用單電子存儲器件來取代傳統(tǒng)的存儲器件，通過基于硅的、具有多隧穿結(jié)(MTJ)結(jié)構(gòu)的納米線(以下簡稱為納米線)和傳統(tǒng)的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)來制備單電子動態(tài)隨機(jī)存儲器(J.Appl.Phys.2000，12，8594)，盡管這種器件解決了困擾傳統(tǒng)存儲器的功耗等若干問題，但是這種器件利用了MTJ/MOSFET結(jié)構(gòu)，限制了集成度的...
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