技術(shù)編號：5268099
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的光刻方法，具體涉及一種表面等離子體納 米光刻法。背景技術(shù)自從集成電路發(fā)明以來，圖形技術(shù)是通過可見光曝光技術(shù)來實現(xiàn)的。光刻技 術(shù)是傳統(tǒng)的微加工與制造技術(shù)的核心之一，是微電子技術(shù)的工藝基礎(chǔ)。目前，最 先進(jìn)的用于大規(guī)模制造集成電路的光刻設(shè)備是經(jīng)過開發(fā)更短波長的曝光光源、研 制大數(shù)值孔徑光學(xué)透鏡0.2—0.85 —1.44(浸沒光刻)、移相掩模、鄰近效應(yīng)校 正、離軸照明、等波前工程等技術(shù)的突破， 一次又一次突破分辨率極限，微光刻 技術(shù)把微細(xì)加...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。