技術(shù)編號：5267730
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是一種基于分子組裝技術(shù)的制備納米間隙電極的選擇性化學(xué)沉積方法，屬于納米結(jié)構(gòu)、納米電子器件的加工的。背景技術(shù) 納米間隙電極的制備無論對于納電子學(xué)、納米生物醫(yī)學(xué)等基礎(chǔ)研究，還是對于納電子器件、生物醫(yī)學(xué)檢測器件等的制造與應(yīng)用研究都具有非常重要的意義。傳統(tǒng)光刻技術(shù)加工的電極間隙的極限只能在亞微米量級，而不能達到納米量級。近年來涌現(xiàn)出了不少制備納米間隙電極的方法，比如電子束刻蝕法、分子束外延法、掃描探針納米刻蝕法、電鍍法、電子遷移法、接點熔斷法、碳納米管掩模法...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。