技術(shù)編號(hào)：5267570
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制作基于化合物半導(dǎo)體的多功能單片集成的光子回路的方法，特別是涉及利用氮等離子體誘導(dǎo)的。 背景技術(shù)隨著光電子器件和光纖技術(shù)的不斷發(fā)展，光子集成回路(PIC)和光電子集成回路 (OEIC)越來越受到人們的重視。為了實(shí)現(xiàn)激光、調(diào)制、探測(cè)和無源波導(dǎo)等不同功能光電子元 件在同一基片上的光電集成，傳統(tǒng)的方法需要多次選擇性外延生長(zhǎng)(Etch-and-Regrowth)， 或在經(jīng)初始刻蝕結(jié)構(gòu)的基片上生長(zhǎng)(SelectiveArea Epoitaxy)，這些技術(shù)不...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。