技術(shù)編號(hào)：5267428
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及制造自我組裝嵌段共聚物薄膜的方法和自所述方法產(chǎn)生的裝置。背景技術(shù)隨著納米級(jí)機(jī)械、電學(xué)、化學(xué)和生物裝置及系統(tǒng)的加速發(fā)展，人們需要制造納米級(jí) 裝置和組件的新穎方法和材料。隨著半導(dǎo)體特征的尺寸縮小至通過常規(guī)光刻不易獲得的大 小，與導(dǎo)線進(jìn)行電接觸已變成一個(gè)重大挑戰(zhàn)。光學(xué)光刻加工方法難以制造低于60納米級(jí)別 的結(jié)構(gòu)和特征。自我組裝二嵌段共聚物的使用為在納米級(jí)尺寸上進(jìn)行圖案化提供另一途 徑。二嵌段共聚物膜可通過聚合物構(gòu)成嵌段在退火后(例如，通過在高于所...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。