技術(shù)編號(hào)：5267272
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微納米加工領(lǐng)域中，制備晶片級(jí)黑硅表面的方法，尤其涉及一種基于無掩膜深反應(yīng)離子刻蝕制備黑硅的方法。 背景技術(shù)目前，納米結(jié)構(gòu)加工已經(jīng)廣泛應(yīng)用到微流體，生物工程，光學(xué)傳感器件等領(lǐng)域。 在微納米結(jié)構(gòu)加工中，通常用于不同目的，在襯底例如硅晶片內(nèi)形成大范圍高密 度均勻的納米結(jié)構(gòu)(nanotips和nanoporous)從而增加表面積體積比。通過刻蝕或者沉積 生長以及多種工藝的結(jié)合形成納米結(jié)構(gòu)。例如采用納米光刻技術(shù)在硅晶片襯底定義納米掩 膜然后采用干法刻蝕技...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。