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一種具有梯度型帶隙特征的納米硅窗口層及其制備方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:5265846

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本發(fā)明涉及硅基太陽電池制備工藝,特別是。背景技術(shù)太陽電池在解決日益嚴(yán)峻的環(huán)境問題和能源供給問題的有效途徑之一。由于硅材料在半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛應(yīng)用,且人們對硅材料的各種特性都有非常清楚的認(rèn)識。因此,硅基太陽電池在所有的太陽電池中占有非常重要的地位,其中與非晶硅相關(guān)的太陽電池包括非晶硅基薄膜太陽電池(含微晶硅和非晶硅鍺等),以及非晶硅/單晶硅構(gòu)成的HIT型異質(zhì)結(jié)太陽電池。在硅基薄膜太陽電池中,非晶硅(a-SiH)薄膜太陽電池,特別是以非晶硅為基礎(chǔ)的非晶硅/微晶硅...
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