技術(shù)編號：5265463
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提出一種，屬于信息功能材料及器件領(lǐng)域。背景技術(shù)III族氮化物材料具有優(yōu)良的物理化學(xué)性能，是研制光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。制備氮化物光子器件結(jié)構(gòu)的過程中，不可避免會引入刻蝕損傷，降低器件的性能。通過圖形化生長技術(shù)是解決這一難題的有效途徑，通過生長技術(shù)獲得器件結(jié)構(gòu)，避免了刻蝕損傷。氧化鉿薄膜是一種優(yōu)良的氮化物襯底材料。在生長過程中，氧化鉿會表面氮化形成一層氮化鉿薄膜，氮化鉿和III族氮化物材料的晶格匹配較小；在生長過程中，氧化鉿薄膜有再結(jié)晶過程，可以補(bǔ)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。