技術(shù)編號：5265196
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，屬于材料微結(jié)構(gòu)及其制備。背景技術(shù)垂直于襯底表面的一維微結(jié)構(gòu)陣列以其潛在的應(yīng)用獲得了廣泛的關(guān)注。例如，硅片襯底表面垂直生長的一維納米線陣列可用于制備新型的太陽能電池，氧化鋅納米線陣列可獲得增強的場發(fā)射效應(yīng)等等。目前常用的一維納米微結(jié)構(gòu)陣列的制備通常采用氣體蒸發(fā)然后冷凝的液固或氣固方法生長，或者采用化學(xué)溶液法生長。但受制備方法的限制，很多材料的一維微結(jié)構(gòu)陣列難以制備，因此，需要新的制備技術(shù)和方法獲得新型的一維微結(jié)構(gòu)材料和結(jié)構(gòu)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目...
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