技術(shù)編號(hào)：5265153
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種微電子的材料，具體涉及一種用于多級(jí)存儲(chǔ)相變存儲(chǔ)器的Ge2Sb2Te5Aia3ciSb7ci納米多層復(fù)合相變薄膜材料。背景技術(shù)相變存儲(chǔ)器(PCM)作為新一代非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，具有高的讀速讀寫、高可靠性、低功耗、壽命長、循環(huán)擦寫次數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)能夠兼容于COMS工藝(S.Lai and Τ. Lowrey IEDM Tech. Dig.，2000，p. 243)?；谝陨蟽?yōu)點(diǎn)，PCM成為最有望取代目前普遍使用的FLASH技術(shù)，占領(lǐng)下一代非揮...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。