技術(shù)編號：5265096
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基于飛秒激光硅表面功能微納米材料制備裝置和方法，屬于硅基半導(dǎo)體光電材料，應(yīng)用領(lǐng)域包括太陽能電池、探測器、場致發(fā)射器等光電子行業(yè)。背景技術(shù)目前價格廉價的硅材料廣泛地用于半導(dǎo)體微電子的基質(zhì)，從電腦芯片到光探測儀，硅材料開拓了許多商業(yè)應(yīng)用。但是由于硅材料本身禁帶寬度(1.07eV)的限制，從根本上限制了其對紅外(> 1. Iym)波段吸收和光電轉(zhuǎn)化的能力。1997年，哈佛大學(xué)Mazur 教授研究組在飛秒激光(IOOfs)與物質(zhì)相互作用研究的過...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。