技術(shù)編號(hào)：5264800
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。屬于集成電路制造，涉及在半導(dǎo)體襯底中制備腔體的方法。背景技術(shù)在集成電路的制造中，通常需要在半導(dǎo)體襯底中(例如硅襯底中)形成腔體。這種帶有腔體的半導(dǎo)體襯底進(jìn)一步用來制備其它集成電路器件(例如，MEMS器件)。因此，腔體的制備成本和效率直接影響集成電路器件的制備成本和效率。 圖I所示為現(xiàn)有技術(shù)提供的在半導(dǎo)體襯底中制備腔體的方法過程的結(jié)構(gòu)變化示意圖。如圖I所示，以半導(dǎo)體襯底為單晶硅片為例，首先，在硅片A的襯底100上構(gòu)圖刻蝕形成空腔110，同時(shí)，在硅片B的襯底2...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。