技術編號：5264385
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。涉及納米結構的制備。 背景技術目前，納米線、納米膜、納米器件的制備還比較困難，有的還在 基礎研究階段，有的是在實驗室產(chǎn)品階段，不能進入工業(yè)化生產(chǎn)。例如單晶氧化硅納米線的制備，用高溫化學蒸氣沉降法，高溫在1000 C以上；碳助生長法，也需要很高的溫度；溶膠與凝膠法需要硅源和 模板劑的作用，生長氧化硅納米線，經(jīng)過焙燒或化學腐蝕去除模板劑， 最終得到納米線，需要焙燒和模板劑，污染環(huán)境；激光消融法等都需 要高溫； 一種用乙二胺作為反應溶液水熱氣相用硝酸鐵作為負載的...
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