技術(shù)編號：51610
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本實用新型公開了一種SiC?MOSFET的高速隔離驅(qū)動保護(hù)電路，包括高速CMOS數(shù)字隔離電路、高速驅(qū)動電路、柵源極過壓保護(hù)電路和負(fù)壓產(chǎn)生電路。高速CMOS數(shù)字隔離電路可以實現(xiàn)輸入端和驅(qū)動電路的嚴(yán)格電位隔離，并能保證驅(qū)動的快速性；高速驅(qū)動電路可提供強(qiáng)大的驅(qū)動電流；柵源極過壓保護(hù)電路可以防止柵源極出現(xiàn)過電壓；負(fù)壓產(chǎn)生電路給柵源極間提供一個負(fù)電壓，使SiC?MOSFET可靠關(guān)斷。本實用新型可用在高頻電路中快速驅(qū)動SiC?MOSFET，兼具快速性、隔離性，以及可靠的保護(hù)功能。專利說明一種S i C-MOSFET的高...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。