技術(shù)編號(hào)：4982924
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及真空過(guò)濾器裝置，特別是涉及用機(jī)械方式清掃過(guò)濾元件、以從該 元件的表面清除一氧化硅的晶體生長(zhǎng)真空過(guò)濾器。背景技術(shù)單晶體為一種沒有晶界的結(jié)晶固體，其中全部樣品的晶格都為連續(xù)的并且至樣品 的邊緣都保持完整。采用直拉單晶制造法(CZ)，可利用晶體生長(zhǎng)爐來(lái)生長(zhǎng)單晶體。類似地， 可在多晶體凝固爐中形成多晶體。這些晶體通常為硅。硅在位于爐子中心的不銹鋼容器中 被熔化，由此生長(zhǎng)出晶體。結(jié)晶生長(zhǎng)過(guò)程是在真空環(huán)境下發(fā)生的。典型地，為了徹底吹洗任 何的雜質(zhì)，向容器...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。