技術(shù)編號(hào)：455608
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明一般涉及材料的表面處理，并特別涉及晶片的處理，該晶片用于制造在微電子學(xué)和/或光電子學(xué)中應(yīng)用的元件。更精確地，本發(fā)明涉及用于降低半導(dǎo)體晶片自由面的粗糙度的工藝，所述工藝包括用于平滑所述自由面的單個(gè)退火步驟，所述單個(gè)退火步驟實(shí)施為在純氬氣氛中的RTA。背景技術(shù) 術(shù)語(yǔ)“自由面”指的是暴露于外部環(huán)境的晶片表面(由此不同于由多層晶片的兩層之間的內(nèi)界面所限定的表面)。從描述將明顯可見(jiàn)的是，結(jié)合用于制造薄層的工藝可以有利地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，例如在專利FR 2681472中描述的(盡管這種結(jié)合不限制本再現(xiàn)上述專利的教導(dǎo)的工...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。