技術(shù)編號：445027
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明是關(guān)于用切克勞斯基法(Czochralskimethod)制備硅單晶的方法和設(shè)備。用切克勞斯基法制備硅單晶的方法已應(yīng)用至今，而且它已成為相當(dāng)完善的技術(shù)。根據(jù)此技術(shù)，如眾所周知，將熔化的硅原料加至石英坩堝以后，使籽晶與熔融料的表面接觸，并使籽晶緩慢地邊旋轉(zhuǎn)邊從熔體中拉出，由此使接觸表面凝固，并使晶體長大從而獲得圓柱形單晶。根據(jù)用途不同為了使生產(chǎn)的硅單晶為P型或n型半導(dǎo)體，此時在熔融料中可以加入適量的摻雜劑，例如硼、銻或磷。然而，這種向硅單晶中加入摻雜劑的方法是不均勻的，以致硅單晶的部位越低，摻雜劑的濃度...
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