技術編號：4177518
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件領域。其具體地涉及如在權利要求1的前序中所描述的絕緣柵雙極晶體管。背景技術 為實現絕緣柵雙極晶體管(IGBT)中改善的安全工作區(qū)域(SOA)性能，針對器件關斷期間增大的閂鎖電流，通常引入深的、高摻雜的p+基區(qū)。在此環(huán)境中“深”指的是這個事實，即高摻雜p+基區(qū)的第一深度大于IGBT的溝道區(qū)的第二深度。在IGBT關斷期間深p+基區(qū)執(zhí)行下列主要任務第一，其在關斷期間有效地收集空穴。結果，最小化了經由IGBT溝道進入IGBT漂移區(qū)的空穴的數目。...
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