技術(shù)編號(hào)：4141944
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，屬于真空技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域。背景技術(shù)在中高軌道，等離子體非常稀薄，航天器表面電場的作用距離從數(shù)米延伸至數(shù)百米。這樣會(huì)改變航天器周圍帶電污染物的傳輸路徑，使污染物在航天器表面再分布，并沉積在航天器上的任何位置，使航天器整體污染程度加重，并對位于低污染區(qū)的敏感系統(tǒng)造成更加嚴(yán)重的危害(如衛(wèi)星大功率射頻系統(tǒng)中污染物從非關(guān)鍵部位轉(zhuǎn)移到關(guān)鍵部位，大大降低系統(tǒng)的放電閥值，使系統(tǒng)更容易產(chǎn)生放電現(xiàn)象而燒毀器件；同時(shí)還導(dǎo)致光學(xué)鏡片的防塵罩失效，影響光學(xué)系統(tǒng)的成像質(zhì)量)。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。