技術(shù)編號:40463235
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本技術(shù)涉及電子器件,具體為一種金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件。背景技術(shù)、傳統(tǒng)存儲器件在功耗較高、壽命有限、高密度、讀寫速度相對較慢等問題,對hdd而言,由于機械臂的移動和磁盤的旋轉(zhuǎn),導致數(shù)據(jù)訪問速度較低,增加了機械故障的風險,尤其是ssd的閃存芯片,閃存存儲單元具有有限的擦寫次數(shù),經(jīng)過多次擦寫操作后,存儲單元可能變得不可靠或無法再寫入數(shù)據(jù)。、近年來,金屬氧化物薄膜晶體管存儲器件作為一種新型存儲技術(shù)受到廣泛關(guān)注,具有非易失性、高密度、低功耗等優(yōu)點,廣泛研究用于傳感器、存儲器和處理器等領(lǐng)域。當前也...
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