技術(shù)編號：40463157
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請涉及半導體，特別涉及一種功率開關(guān)器件及其結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、場效應控制功率開關(guān)器件諸如mosfet(metal?oxide?semiconductor?fieldeffect?transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管)或者igbt(insulated?gatebipolar?transistor，絕緣柵雙極晶體管)廣泛應用作電源和功率轉(zhuǎn)換器等電力設(shè)備中的開關(guān)。、場效應控制功率開關(guān)器件包括一具有各功能區(qū)的表面。該表面可劃分為元胞區(qū)和包圍元胞區(qū)的終端區(qū)。通常來講，元胞區(qū)包括多個結(jié)構(gòu)且...
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