技術(shù)編號：40448221
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本技術(shù)涉及射頻平面陰極，尤其涉及一種射頻平面陰極。背景技術(shù)、射頻濺射鍍膜多應(yīng)用于濺射沉積絕緣體介質(zhì)薄膜。射頻濺射陰極采用通過將射頻電源接在陰極上，在陰極表面放電形成等離子體，通過其中的離子對靶材進行轟擊。、由于射頻濺射通過輝光放電形成的等離子體中的電子質(zhì)量小，能夠隨著電場方向的高速改變而改變運動方向。相對于直流濺射裝置中的那樣從陰極發(fā)射直接飛到陽極，射頻濺射產(chǎn)生的電子在放電空間跟隨外電場振蕩多次，最后到達陽極，這樣就延長了電子實際行走路徑，使得每個電子與工作氣體原子碰撞概率增大，氣體原子離化...
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