技術(shù)編號：40407451
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請實施例涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種拋光過程中測量晶圓金屬薄膜厚度的方法、裝置、拋光設(shè)備和存儲介質(zhì)。背景技術(shù)、在對晶圓進行化學(xué)機械拋時，通常需要通過電渦流傳感器測量晶圓表面金屬薄膜的厚度，在金屬薄膜的厚度達(dá)到預(yù)設(shè)值時，給予正確信號終止化學(xué)機械拋光過程，從而保證拋光的精度。、化學(xué)機械拋光過程的過程包括化學(xué)作用和機械作用兩方面的拋光作用，具體地，拋光液與晶圓之間的存在化學(xué)作用，拋光液、拋光墊和拋光頭與晶圓之間存在機械作用。而化學(xué)作用和機械作用均會導(dǎo)致晶圓的溫度急劇上升，導(dǎo)致晶圓上金屬薄膜的電...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。