技術(shù)編號：40407412
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，具體提供一種合成射流激勵器、mems裝置以及合成射流激勵器的制備方法。背景技術(shù)、伴隨著微電子產(chǎn)品的集成化和小型化技術(shù)的迅猛發(fā)展，電子元器件正朝著高性能、小型化、長壽命的方向演進，微電子產(chǎn)品的系統(tǒng)集成度不斷提高，散熱問題已成為許多高新技術(shù)領域發(fā)展的重大瓶頸。目前，一些微系統(tǒng)的熱流密度已高達-w/m。尤其是大功率電子元件，其散熱需求更為迫切。微型化、耗能和散熱問題已成為制約芯片性能高速發(fā)展的主要障礙。、信息產(chǎn)業(yè)作為經(jīng)濟發(fā)展的核心動力，各種新型高功率熱流密度器件層出...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。