技術(shù)編號(hào)：40407391
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及核聚變等離子體物理分析，具體涉及一種高溫等離子體中雜質(zhì)輸運(yùn)系數(shù)測量方法和系統(tǒng)。背景技術(shù)、在磁約束核聚變裝置上，等離子體的基本成分是氫及其同位素氘和氚，其它成分均定義為雜質(zhì)。托卡馬克等離子體中，雜質(zhì)的主要來源是面向等離子體材料(plasmafacing?material,pfm)和真空室氣壁。等離子體與面向等離子體材料相互作用，包括濺射、起泡、起弧、熱沖擊等物理化學(xué)過程，這是重雜質(zhì)的主要來源。真空室器壁吸附有大量分子或原子，通過低能解吸過程如熱解吸、粒子轟擊以及化學(xué)反應(yīng)等過程進(jìn)入等離子...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。