技術(shù)編號(hào)：40405264
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明中的至少一個(gè)實(shí)施例涉及量子和半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域，尤其涉及一種用于硅基半導(dǎo)體量子芯片的單電子晶體管射頻反射測(cè)量結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)、量子計(jì)算具有超越經(jīng)典計(jì)算的潛力。在能夠?qū)崿F(xiàn)量子計(jì)算的各種系統(tǒng)中，半導(dǎo)體量子點(diǎn)中電子自旋的限制為量子信息處理提供了一個(gè)有吸引力的平臺(tái)。具體而言，硅中的自旋量子比特被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量子處理器的有力競(jìng)爭(zhēng)者，因?yàn)樗鼈兙哂辛孔颖忍爻叽缧 ⒕植亢腿挚刂颇?、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（cmos）兼容性、相干時(shí)間長(zhǎng)、超精細(xì)相互作用弱以及可在開氏溫度（k）以上運(yùn)行的可能性。其...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。