技術(shù)編號：40405065
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。背景技術(shù)、自旋軌道矩磁存儲器（spin-orbit?torque?magnetic?random?access?memory，簡稱sot-mram），具有低功耗、高密度、非易失性、高讀寫速率和長使用壽命等特性受到業(yè)界格外的關(guān)注。、相關(guān)技術(shù)中，sot-mram包括堆疊設(shè)置的磁隧道結(jié)（magnetic?tunnel?junction，mtj）和重金屬層，磁隧道結(jié)為sot-mram的基本存儲單元，矯頑力（hc）是影響磁隧道結(jié)的抗磁性能的主要參數(shù)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。