技術(shù)編號：40403005
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及熒光增強(qiáng)，特別是涉及一種綠色環(huán)保的硅烷表面超支化聚合修飾對cdte?qds的包覆性熒光增強(qiáng)方法。背景技術(shù)、cdte?qds是一種經(jīng)典的i?i-vi族半導(dǎo)體量子點(diǎn)，其粒徑在-納米范圍內(nèi)，屬于零維納米材料，其接近或小于激子玻爾半徑，是能夠吸收大量可見光的重要半導(dǎo)體材料，具有獨(dú)特的光學(xué)性質(zhì)。cdte是一種直接帶隙的p型半導(dǎo)體，具有高空穴遷移率，因?yàn)闃O小的納米尺寸，量子點(diǎn)中絕大部分的原子處于表面狀態(tài)，量子點(diǎn)的表面狀態(tài)對其發(fā)光效果有很明顯的影響。由于量子約束效應(yīng)，cdte?qds具有量子...
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