技術(shù)編號：40402741
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于太赫茲波吸收領(lǐng)域，具體涉及一種金屬相二硒化鉬生長在三氧化鎢納米片上的復(fù)合材料充當(dāng)填充物，聚乙烯醇為基底的聚合物薄膜及其在太赫茲波吸收中的應(yīng)用。背景技術(shù)、太赫茲波頻率位于紅外和微波之間的一段“真空地帶”，由于其具備高帶寬、高穿透性、低能量性、相干性、指紋光譜性等綜合優(yōu)點，使其在生命科學(xué)、材料科學(xué)、天文學(xué)、大氣與環(huán)境監(jiān)測、通訊、國家安全等多個重要領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。但隨著高頻率無線電技術(shù)的飛速發(fā)展和電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用給人類生活帶來極大便利的同時，衍生的電磁污染問題嚴(yán)重威脅著人類健康同...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。