技術(shù)編號(hào)：40401559
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及功率產(chǎn)品及其生產(chǎn)方法領(lǐng)域。本發(fā)明尤其涉及一種半導(dǎo)體功率實(shí)體以及一種用于通過(guò)混合鍵合來(lái)生產(chǎn)這種實(shí)體的方法。具體地，公開(kāi)了一種混合鍵合方法以及一種相應(yīng)的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、為了提高下一代功率封裝中的功率密度和效率，短的、具有電流能力的低寄生互連路徑、非常好的熱管理和電氣隔離是必不可少的。當(dāng)前目標(biāo)是電流能力為數(shù)十安培至數(shù)百安培的導(dǎo)線走線以及內(nèi)部雜散電感低于nh的電源模塊。、在當(dāng)今的芯片嵌入技術(shù)中，僅提供有限的互連功能。為了在個(gè)不同芯層上的兩個(gè)垂直設(shè)置的功率半導(dǎo)體之間建立連接，只能在這兩...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。