技術(shù)編號：40399567
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體短路測試領(lǐng)域，具體而言涉及一種igbt的短路測試方法和測試裝置。背景技術(shù)、絕緣柵雙極型晶體管(insulated?gate?bipolar?transistor，簡稱igbt)具有金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor，簡稱mosfet)的高速導(dǎo)通性及雙極型晶閘管的低電阻性的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電動汽車、新能源、工業(yè)變頻、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域。、為了考量igbt功率器件在極端工況下的耐受能...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。