技術(shù)編號(hào)：40399489
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種雙溝道非對(duì)稱溝槽型碳化硅mos器件及制備方法。背景技術(shù)、隨著手機(jī)快充，國產(chǎn)新能源汽車和無刷電機(jī)的興起，中高壓mosfet的需求越來越大，中壓功率器件開始蓬勃發(fā)展。非對(duì)稱溝槽碳化硅mos器件作為中高壓mosfet的代表之一，被作為開關(guān)器件廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件，其比導(dǎo)通電阻是十分重要的參數(shù)。非對(duì)稱溝槽型碳化硅mos器件相比于普通溝槽碳化硅mos器件，增加了p阱區(qū)，有效緩解了溝槽底部電場集中效應(yīng)，提高了器件耐壓水平，并且...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。