技術(shù)編號(hào)：40399332
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域，特別是一種異質(zhì)外延金剛石碳化硅復(fù)合晶圓的制備方法。背景技術(shù)、碳化硅（sic）具有一種特殊的晶體結(jié)構(gòu)，采用了類似于鉆石的六方密堆積結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)使得碳化硅具有出色的熱導(dǎo)率和高耐高溫性能。與傳統(tǒng)硅材料相比，碳化硅的帶隙寬度更大，可提供更高的電子能帶間隔，從而實(shí)現(xiàn)更高的電子遷移率和更低的漏電流。此外，碳化硅還具有較高的電子飽和漂移速度和較低的材料本身電阻率，為高功率應(yīng)用提供了更好的性能。這些特性使得碳化硅晶圓在多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景?。碳化硅晶圓可用于制造高功率密度...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。