技術(shù)編號(hào)：40397831
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種晶體層疊結(jié)構(gòu)體及半導(dǎo)體元件。背景技術(shù)、第三代半導(dǎo)體材料具有大的禁帶寬度、高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)等特性，使得第三代半導(dǎo)體材料適合用于制備高品質(zhì)的功率器件，如sic、gan、gao、sno等材料，所制備出來的功率器件在高電場(chǎng)、高功率、強(qiáng)輻射等環(huán)境下仍具有優(yōu)良的性能。、目前已批量商用的第三代半導(dǎo)體材料主要是sic和gan，這其中，sic的禁帶寬度約為.ev，擊穿場(chǎng)強(qiáng)約為mv/cm，baliga品質(zhì)因數(shù)約為；gan的禁帶寬度約為.ev，擊穿場(chǎng)強(qiáng)約為...
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