技術(shù)編號：40397686
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其是涉及一種電容器件及其形成方法。背景技術(shù)、在半導(dǎo)體集成電路中，與晶體管電路制作在同一芯片上的集成電容被廣泛地應(yīng)用。其形式主要有金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-metal，mim)電容和金屬-氧化物-金屬(metal-oxide-metal，mom)電容兩種。、其中，mim電容使用上下層金屬作為電容極板。對傳統(tǒng)的mim電容，電容極板之間只有單層介質(zhì)層，其等效電容密度由介質(zhì)層的厚度和介質(zhì)層的介電常數(shù)所限制。為此，引入了多層極板電容結(jié)構(gòu)，以獲得更高...
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