技術(shù)編號(hào)：40397505
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)屬于半導(dǎo)體的，尤其涉及一種晶體管柵極結(jié)構(gòu)及晶體管。背景技術(shù)、在晶體管生產(chǎn)過程中，金屬柵極的形成是金屬互連的關(guān)鍵步驟；其中，鋁及其合金具有良好的電學(xué)性能、熱學(xué)性能和加工性能，因而成為金屬柵極常用的原料。但是，晶體管基底中主要應(yīng)用的半導(dǎo)體材料為硅，硅在鋁中具有較大的溶解度，鋁與硅片接觸時(shí)硅溶解于鋁中，導(dǎo)致硅片產(chǎn)生裂痕，鋁原子進(jìn)入裂縫中形成尖楔，使得晶體存在局部薄弱點(diǎn)，容易導(dǎo)致mosfet?bvdss分段問題，所制得的晶體管良品率低。、目前，會(huì)在鋁或其合金中摻入硅作為金屬柵極的原料，以避免尖...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。