技術(shù)編號(hào)：40396448
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及氮化鋁單晶基板相關(guān)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鋁單晶基板的制備方法。背景技術(shù)、氮化鋁單晶基板是一種由高純度氮化鋁材料制成的單晶體基板，具有優(yōu)異的熱導(dǎo)率、電絕緣性和高機(jī)械強(qiáng)度，常用于高功率電子器件、光電子器件和微波器件的制造中，它能夠提供穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)，有助于提高器件的性能和耐用性，尤其是在高溫、高壓等極端環(huán)境下。氮化鋁單晶基板還因其與其他半導(dǎo)體材料（如氮化鎵）的良好匹配性，在功率半導(dǎo)體和射頻器件中廣泛應(yīng)用。、現(xiàn)有專利申請(qǐng)?zhí)枮椋篶n.的一種氮化鋁單晶基板的制造方法...
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