技術(shù)編號:40395348
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于重?fù)絾尉ЮХ椒ǖ?,具體涉及一種降低重?fù)匠妥枰糯螖?shù)的方法。背景技術(shù)、隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,低中壓mosfet器件用超低阻重?fù)搅住⒅負(fù)缴橐r底硅片的需求量越來越大,伴隨著超低阻大量的摻雜劑的摻入,使得摻雜比增大,在摻雜過程中,摻雜劑固體通過鐘罩全部升華后即打開隔離閥提取鐘罩,進(jìn)行試溫-h后開始引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩的工藝操作,而升華摻雜劑由爐內(nèi)氣體流動帶入熔湯上表面,但是由于摻雜劑濃度過高,熔湯中復(fù)雜的對流無法將摻雜劑帶入熔湯內(nèi)部,導(dǎo)致超低阻大量的雜質(zhì)摻雜后堆積在熔湯上部,當(dāng)進(jìn)入放肩工...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。