技術(shù)編號：40394376
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體器件，具體涉及一種相變吸熱功率半導(dǎo)體器件制備方法。背景技術(shù)、功率半導(dǎo)體器件實(shí)際運(yùn)行過程中有時(shí)會出現(xiàn)短時(shí)過載、浪涌和短路等短時(shí)沖擊過載，而在某些特殊應(yīng)用領(lǐng)域，如固態(tài)斷路器、高功率脈沖源等，功率半導(dǎo)體器件則主要以間歇短時(shí)高功率脈沖模式運(yùn)行。在短時(shí)沖擊過載工況下，一方面功率半導(dǎo)體器件短時(shí)間產(chǎn)生巨大損耗，導(dǎo)致芯片溫度急劇上升，功率半導(dǎo)體器件面臨較高的電熱擊穿風(fēng)險(xiǎn)；另一方面短時(shí)沖擊過載通常持續(xù)時(shí)間短(秒級)，間隔時(shí)間長(分鐘級以上)，因此功率半導(dǎo)體器件運(yùn)行時(shí)平均損耗低，理論上僅需簡單...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。