技術(shù)編號(hào):40393905
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及集成半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其涉及一種存儲(chǔ)器的制備方法、存儲(chǔ)器、器件及設(shè)備。背景技術(shù)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory,dram)通常采用一個(gè)晶體管和一個(gè)電容(tc)的結(jié)構(gòu)作為芯片的存儲(chǔ)單元。通過(guò)架構(gòu)的不斷演化,dram存儲(chǔ)單元的面積為f(f為特征尺寸)。但是,隨著摩爾定律的延續(xù),傳統(tǒng)dram的面積微縮遇到瓶頸。亟需一種能夠減小dram存儲(chǔ)單元的面積并提高存儲(chǔ)密度的方法。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N存儲(chǔ)器的制備方法、存儲(chǔ)器、器件及設(shè)備,可以...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類(lèi)技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。