技術(shù)編號：40392736
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，特別涉及一種具有多層場板的半導(dǎo)體功率器件及其制作方法。背景技術(shù)、氮化鎵（gan）高電子遷移率晶體管（hemt）器件具有優(yōu)越的器件性能，在高頻以及高功率領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。氮化鎵hemt器件主要分為耗盡型器件（d-mode）和增強型器件（e-mode），耗盡型氮化鎵hemt器件的結(jié)構(gòu)簡單，能夠最大程度保留氮化鎵異質(zhì)結(jié)的高電子濃度以及高電子遷移率，同時耗盡型氮化鎵hemt器件的柵極也十分可靠。、在gan?hemt器件中，場板的引入可以抑制表面電場的集中，減輕電場尖峰...
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