技術(shù)編號(hào)：40391939
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域，特別涉及一種具有等電位電極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制作方法。背景技術(shù)、在很多半導(dǎo)體器件中，比如傳統(tǒng)的單向耐壓的橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管（gan?high?electron?mobility?transistor，gan?hemt）器件中都存在三個(gè)電極：源極（source）、柵極（gate）、漏極（drain），在器件關(guān)斷時(shí)，drain極為高電位，source極和gate極為低電位。而雙向耐壓的雙向?qū)ǖ膅an?hemt器件中存在一種共drain的器件結(jié)構(gòu)，即器件沒有實(shí)際...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。