技術(shù)編號:40391573
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于微區(qū)表面電勢原位測試,涉及一種原位光照kpfm測試裝置及測試方法。背景技術(shù)、開爾文探針力顯微鏡(kelvin?probe?forcemicroscope,kpfm)是原子力顯微鏡的一種衍生技術(shù)。給探針施加交流電壓,在針尖和樣品之間形成電場力,通過外加一個直流電壓抵消電場力,從而觀測樣品表面電位的。此外,導電針尖和樣品之間的接觸電勢差
vcpd(contact?potential?difference)定義為
vcpd=(
...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。