技術(shù)編號：40388705
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開涉及集成電路，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、操作方法。背景技術(shù)、動態(tài)隨機存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)是計算機等電子設(shè)備中常用的半導(dǎo)體裝置，其由多個存儲單元構(gòu)成，每個存儲單元通常包括晶體管和電容器。所述晶體管的柵極與字線電連接、源極與位線電連接、漏極與電容器電連接，字線上的字線電壓能夠控制晶體管的開啟和關(guān)閉，從而通過位線能夠讀取存儲在電容器中的數(shù)據(jù)信息，或者將數(shù)據(jù)信息寫入到電容器中。、在dram等半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中通常需要對晶體管的有源區(qū)的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。