技術(shù)編號:40388525
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件以及發(fā)光裝置。背景技術(shù)、以往,提出了一種發(fā)光元件,該發(fā)光元件具備:半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其具有n型半導(dǎo)體層、和以將n型半導(dǎo)體層的一部分露出的方式層疊的有源層以及p型半導(dǎo)體層;設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一面?zhèn)鹊膎電極以及p電極。在這樣的發(fā)光元件中,由于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的組分,導(dǎo)致產(chǎn)生半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的電流擴散的偏差,因此為了實現(xiàn)面內(nèi)的均勻的電流密度,進(jìn)行了各種設(shè)計。、例如,提出了在與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)連接的電極間設(shè)置溝槽,來控制水平電流的流動等方法(例如,專利文獻(xiàn))。、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)、專利文...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。