技術(shù)編號：40388302
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，尤其涉及一種單晶爐的上料裝置。背景技術(shù)、碳化硅(sic)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，因其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場以及大的電子遷移速率等優(yōu)勢，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率以及高壓器件的理想材料之一，作為制造功率器件的核心材料，碳化硅晶體生長使用的設(shè)備是關(guān)鍵。進(jìn)行碳化硅晶體生長之前，需要將裝有單晶生長原料的坩堝放到單晶生長爐。坩堝放到單晶生長爐之前，需要先將坩堝搬運至上料臺，同時使坩堝與上料臺具有確定的相對位置，以便于機(jī)械手從上料臺上抓取坩堝至單晶生長爐。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。