技術(shù)編號：40386235
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，特別涉及一種存儲器結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)、存儲器種類繁多，按照存儲材料可分為磁表面存儲器和半導體存儲器，而半導體存儲器按照數(shù)據(jù)保存是否依賴外部電源又可以分為易失性存儲器和非易失性存儲器。易失性存儲器在斷電后會丟失所有存儲的數(shù)據(jù)，如動態(tài)存儲器(dynamic?random?accessmemory，dram)、靜態(tài)存儲器(static?random?access?memory，sram)等。相反，非易失性存儲器即使在斷電的情況下，也能保持存儲的數(shù)據(jù)，如閃存(embe...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。